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姜大元（강대원，1931年5月4日－1992年5月13日）是一位成就卓越的韩裔美籍电气工程师和发明家，他对固态电子学领域做出了开创性贡献。 出生于日治时期的韩国首尔，姜大元对知识的渴求与探索精神引领他在美国开启了变革性的职业生涯。
姜大元的学术旅程始于首尔国立大学物理学学士学位。1955年，他远赴美国深造，进入俄亥俄州立大学学习。凭借卓越的学术表现，他于1959年先后获得电气工程硕士与博士学位。
获得博士学位后，姜大元加入了位于新泽西州默里山的贝尔电话实验室，这标志着他开启了改变现代电子学格局的丰硕研究与创新时期。
姜大元最为人熟知的是与同事穆罕默德·阿塔拉共同发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这项革命性器件通常被称为MOS晶体管，不仅成为现代集成电路的基础构建单元，更是在几乎所有当代电子设备中应用最广泛的晶体管类型。二人不仅发明了MOSFET，还开发了关键的PMOS和NMOS制造工艺，为实现其大规模生产奠定了基础。
除MOSFET外，姜大元持续引领半导体技术的前沿发展，其重要贡献包括：
- MOS集成电路概念：在MOSFET研究基础上，姜大元与阿塔拉提出了将多个MOS晶体管集成到单一芯片的架构，为微电子革命奠定基石
- 肖特基二极管开创性研究：1960年代初，姜大元与阿塔拉对肖特基势垒二极管进行了突破性研究，该元件已成为高频应用中的关键组件
- 浮栅MOSFET（FGMOS）：1967年，他与施敏合作发明了浮栅MOSFET。这项创新催生了非易失性存储单元，成为当今数字世界中无处不在的EPROM、EEPROM和闪存技术的基石
- 电致发光研究：姜大元对电致发光材料与器件的理解和开发也作出了重要贡献
为表彰其对科学技术的深远影响，姜大元在职业生涯中荣获众多殊荣，包括富兰克林学会斯图尔特·巴兰坦奖章。2009年，他被迫授入选美国国家发明家名人堂。韩国半导体会议于2017年设立”姜大元奖”，通过表彰对半导体产业的重大贡献来传承其精神遗产。
在贝尔实验室度过卓越职业生涯后，姜大元于1988年出任新泽西州NEC研究所创始总裁，持续推动计算与通信领域的创新研究，直至1992年猝然离世。
总而言之，姜大元是一位具有远见卓识的韩裔物理学家与电气工程师，其发明——尤其是MOSFET和浮栅存储单元——对世界产生了不可估量的持久影响，支撑着我们当今依赖的绝大多数现代电子与信息技术。 他的工作至今仍在激励并推动着半导体产业的创新浪潮。