电子技术基础考试试题 | AI生成和翻译
模拟试题：电子技术基础（三）
(依据温希东版全国高等教育自学考试教材编写)
本套试题选自《电子技术基础（三）》课程历年自考真题，涵盖交流电路分析、半导体器件、晶体管与运算放大器等内容。题目采用英文表述（由中文原题翻译），确保概念清晰。单选题每题1分，分析题计5分。
第一部分：单项选择题
请从各题的A、B、C、D选项中选择正确答案。
- 下列关于理想电压源特性的描述中，正确的是：
- A. 理想电压源信号源的内阻趋于无穷大
- B. 理想电压源可随时并联使用
- C. 理想电压源的输出电压与负载有关
- D. 流过理想电压源的电流与负载有关
- 已知流经感抗 \( \omega L = 2 \, \Omega \) 的相量电流为 \( I = 10 \angle 30^\circ \) mA，则其两端相量电压为：
- A. \( U = 20 \angle 0^\circ \) mV
- B. \( U = 20 \angle 120^\circ \) mV
- C. \( U = 20 \angle 30^\circ \) mV
- D. \( U = 20 \angle -60^\circ \) mV
- 设电容 \( C = 1 \, \mu \mathrm{F} \)，电容器两端电压为 \( \cos(100 \pi t) \) mV，则流过电容的电流为：
- A. \( i_c(t) = -0.1 \times 10^{-6} \pi \sin(100 \pi t) \) A
- B. \( i_c(t) = 0.1 \times 10^{-6} \pi \sin(100 \pi t) \) A
- C. \( i_c(t) = -0.1 \times 10^{-6} \sin(100 \pi t) \) A
- D. \( i_c(t) = 0.1 \times 10^{-6} \sin(100 \pi t) \) A
- P型半导体的多数载流子是：
- A. 自由电子
- B. 空穴
- C. 三价杂质原子
- D. 三价杂质离子
- 已知某晶体三极管三个电极的电位如图所示（发射极-基极-集电极电压呈现NPN硅管特性），该管类型为：
（图示说明：发射极0V，基极0.7V，集电极5V——典型正向偏置NPN硅结特性）- A. PNP型锗管
- B. NPN型锗管
- C. PNP型硅管
- D. NPN型硅管
第二部分：分析题
第31题（5分）： 图31所示电路（基础反相运放结构，输入电阻 \( R_i = 10 \, \mathrm{k} \Omega \)，反馈电阻 \( R_f = 20 \, \mathrm{k} \Omega \)，输入电压 \( U_i = 10 \) V），试计算输出电压 \( U_o \)。
（图示说明：标准运放反相放大器，同相输入端接地。使用增益公式：\( U_o = - \frac{R_f}{R_i} \times U_i \)）
解题提示： 运用虚地原理（反相输入端电位为0V），\( R_i \) 两端压降等于 \( U_i \)，故电流 \( I = \frac{U_i}{R_i} \)，则 \( U_o = -I \times R_f \)。预期结果：\( U_o = -20 \) V。
本题知识点对应教材中交流相量（第2章）、半导体（第3-4章）与运放（第5章）等章节。练习建议：重点复习相量运算、载流子传输与理想运放规则。
参考资料：