三星CEO权五铉简介

三星CEO权五铉简介 | AI生成和翻译

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人物简介

全永铉博士（韩语：전영현），1960年出生，韩国著名企业家、半导体专家，以其在存储技术领域的卓越贡献及电子产业战略领导力闻名。截至2025年10月，他担任全球最大存储芯片制造商及消费电子龙头三星电子的副会长兼唯一首席执行官。在共同首席执行官韩宗熙于2025年3月25日突发心梗离世后，全永铉于同年3月19日获任现职，主管涵盖半导体、显示器和前沿研究的设备解决方案（DS）部门。面对与台积电、SK海力士等对手日益激烈的全球竞争，他在任期内着力强化三星在AI驱动技术、高带宽内存（HBM）及下一代制造工艺领域的竞争力。

在全永铉领导下，三星加速了对AI半导体与可持续实践的投资，旨在重夺DRAM和NAND闪存市场份额，同时应对供应链中的地缘政治挑战。其工程背景与务实作风使他成为公司转型期的稳定力量，分析人士普遍赞誉其对创新与运营效率的专注。

早年经历与教育背景

全永铉1960年出生于韩国，成长于朝鲜战后国家快速工业化时期。与财阀领导层的同辈相似，他早年即认识到教育价值，选择攻读对韩国科技崛起至关重要的电子工程专业。

学士学位：1980年代获汉阳大学（首尔）电子工程学士学位
硕士与博士学位：在韩国科学技术院（KAIST）获电子工程硕士及博士学位，专攻半导体设计与材料领域。其博士研究聚焦存储架构，为后来在DRAM与闪存技术的创新奠定基础

全永铉的学术背景彰显其技术深度，使其在三星高层中区别于偏重金融背景的管理者。

职业起步与早期成就

全永铉的职业征程始于1992年加入LG半导体（现属SK海力士），担任DRAM开发工程师。在1990年代亚洲金融危机期间，这一入门职位让他深入记忆芯片研发领域，锤炼了工艺集成与良率优化能力。

1999年LG半导体与现代电子合并成立海力士半导体，全永铉顺利过渡并助力合并后重整。2000年受三星半导体业务激进扩张吸引加入三星电子，在工程体系内快速晋升，专注DRAM与NAND闪存技术——这些技术已成为移动设备、服务器与数据中心的核心。其早期工作涵盖高密度存储解决方案开拓，发表多篇技术论文并获多项专利，巩固了三星在节能芯片领域的优势。

三星晋升之路：关键职位与里程碑

全永铉在三星的晋升轨迹融合了技术专长与管理智慧：

2000–2014年：工程领导期 作为内存业务部门高级工程师及后续高管，他带领团队开发尖端DRAM模块与3D NAND闪存，在智能手机时代助力三星确立主导地位，实现用于iPhone与Galaxy系列等设备的LPDDR内存突破。2014年升任内存业务部门社长，在大数据兴起的行业波动周期中引领部门创下营收纪录
2014–2017年：内存业务社长 在其领导下，三星DRAM全球市场份额巩固第一（峰值超40%）。他成功驾驭2016–2017年存储超级周期，大力投资10纳米级工艺使功耗降低达30%
2017–2023年：三星SDI时期 2017年3月调任三星SDI（公司电池与显示业务板块）社长兼CEO，2022年升任会长。期间扩大电动汽车电池产能，与宝马等车企建立合作，年产能提升至200GWh。其领导使SDI营收从2017年的12万亿韩元增长至2022年的20万亿韩元，同时推进固态电池研发。挑战包括应对2021年芯片短缺，全永铉通过供应链多元化成功化解
2023–2024年：未来业务与DS负责人 回归三星电子后主管未来业务部门（2023–2024年），探索AI与生物技术领域。2024年5月执掌DS部门、内存业务及三星尖端技术研究所，推动研发与商业运营融合。此职务使其能直面三星在AI GPU晶圆代工服务与HBM领域的滞后局面
2025年至今：副会长兼CEO 2025年3月25日韩宗熙离世后，全永铉继任CEO，成为三星实际运营负责人。他直接向执行会长李在镕汇报，聚焦对利益相关方实施“快速协同响应”。核心举措包括截至2030年的2000亿美元半导体投资计划，重点布局美国晶圆厂与EUV光刻技术进阶

全永铉在IEEE发表数十篇存储缩放技术论文，持有众多专利。常出席世界经济论坛等场合，倡导半导体行业协同创新。

领导风格与业界影响

以数据驱动的工程师思维著称，全永铉坚持长期研发优先于短期利润，常将成果归功于团队协作。不同于风格张扬的前任，他保持低调作风，在避免媒体聚焦的同时促进三星跨部门协同。评论界指其SDI任期面临电动汽车市场波动，但支持者强调其扭转业绩欠佳业务的韧性。

65岁的全永铉代表着三星的代际桥梁，既秉承创始年代的坚韧精神，又融合现代科技发展需求。其愿景聚焦“泛在AI”，致力将三星定位为智能计算时代不可或缺的力量。

参考资料

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